Ms60Pb銅合金板帶耐蝕性好
德國維蘭德
K09 OFE-Cu C10100 K11 Cu-OF C10200
K12 SE-Cu57 C10300 K14 Cu-PHC C10300 SE-Cu58 K15 C12000 SW-Cu Cu-DLP
K19 SF-Cu C12200 Cu-DHP K32 E-Cu58 C11000 Cu-ETP
K42 CuZn0.5
K55 CuNi3Si1Mg C70250 K57 CuNi1Co1Si C70350
K60 CuCr1Zr CW106C C18200 2.1293 K62 CuSn1CrNiTi C18090
K65 CuFe2P C19400 K75 CuCrSiTi C18070 K80 CuFeP C19210
K81 CuSn0.15 C14415 K88 CuCrAgFeTiSi C18080
己達十萬甚至百萬以上。國際著名的計算機公司IBM（國際商業機器公司），己採用銅代替硅芯片中的鋁作互連線，取得了突破性進展。這種用銅的新型微芯片，可以獲得30%的效能增益，電路的線尺寸可以減小到0.12微米，可使在單個芯片上集成的晶體管數目達到200萬個。這就爲古老的金屬銅，在半導體集成電路這個zui新技術領域中的應用，開創了新局面 [1] 。引線框架
爲了保護集成電路或混合電路的正常工作，需要對它進行封裝；並在封裝時，把電路中大量的接頭從密封體內引出來。這些引線要求有一定的強度，構成該集成封裝電路的支承骨架，稱爲引線框架。實際生產中，爲了高速大批量生產，引線框架通常在一條金屬帶上按特定的排列方式連續衝壓而成。框架材料佔集成電路總成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必須要有低的成本。
銅合金價格低廉，有高的強度、導電性和導熱性，加工性能、針焊性和耐蝕性優良，通過合金化能在很大範圍內控制其性能，能夠較好地滿足引線框架的性能要求，己成爲引線框架的一個重要材料。它是目前銅在微電子器件中用量zui多的一種材料。
維蘭德銅合金狀態
C70250-TM00、C70250-TM02、C70250-TM03、C70250-TR02、C70250-R620、C70250-R650、C70250-R690、C70250-Y550、C70250-R760、CuNi3Si1Mg-R760、CuNi3Si1Mg-TM00、CuNi3Si1Mg-TM02、CuNi3Si1Mg-TM03、CuNi3Si1Mg-TR02、CuNi3Si1Mg-R620、CuNi3Si1Mg-R655、CuNi3Si1Mg-Y550、CuNi3Si1Mg-R690、K55-TM00、K55-TM02、K55-TM03、K55-TR02、K55-R620、K55-R650、K55-R690、K55-R760、K55-Y550
